SZESD8472MUT5G
自营可供
IC
0201
SZESD8472MUT5G
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 5.3V Automotive 2-Pin X3-DFN T/R
品牌
ON
封装
0201
交期
现货
批次
26+
SZESD8472MUT5G参数
| 封装 | 0201 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 极性 | 双向 |
| 钳位电压 | 17.8V |
| 击穿电压(VBR) | 7V |
| 通道数 | 单路 |
| 类型 | ESD |
| 商品名称 | 超低电容、小封装的ESD保护二极管， 适用于射频和天线线路应用 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 19,945 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 反向工作电压(Vrwm) | 5.3V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3A |
| 反向漏电流(Ir) | 1nA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| Cj-结电容 | 0.2pF |
| 商品型号 | SZESD8472MUT5G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1.5e-05 |
SZESD8472MUT5G概述
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 5.3V Automotive 2-Pin X3-DFN T/R
SZESD8472MUT5G特性
- 行业领先的电压下电容线性度
- 超低电容：0.2 pF
- 插入损耗：0.030 dBm
- 耐受电压：5.3 V
- 低泄漏电流：< 1 nA
- 低动态电阻：< 1 Ω
- 可承受1000次IEC61000
- 4
- 2标准的ESD冲击， ±8 kV接触/空气放电
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的SZ前缀
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素， 符合RoHS标准
SZESD8472MUT5G应用领域
- RF信号ESD保护
- RF开关、功率放大器（PA）和天线ESD保护
- 近场通信
- USB 2.0、USB 3.0