SZESD8351MUT5G
自营可供
IC
0201
SZESD8351MUT5G
ESD8351系列ESD保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。 超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
品牌
onsemi
封装
0201
交期
现货
批次
—
SZESD8351MUT5G参数
| 封装 | 0201 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 反向工作电压(Vrwm) | 3.3V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us |
| 反向漏电流(Ir) | 500nA |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
| 类型 | ESD |
| 商品名称 | ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
| 极性 | 单向 |
| 钳位电压 | 8.2V |
| 击穿电压(VBR) | 5.5V |
| 通道数 | 单路 |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |
| Cj-结电容 | 0.55pF |
| 商品型号 | SZESD8351MUT5G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.0984e-05 |
SZESD8351MUT5G概述
ESD8351系列静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。 超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。
SZESD8351MUT5G特性
- 低电容（最大0.55 pF， I/O到地）
- 符合以下IEC标准保护：IEC 61000
- 4
- 2（4级）、ISO 10605
- 低ESD钳位电压
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的SZ前缀
- 符合AEC
- Q101标准且可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合RoHS标准
SZESD8351MUT5G应用领域
- USB 2.0
- eSATA