SZESD7421N2T5G
自营可供
IC
X-DFN-2
SZESD7421N2T5G
SZESD7421N2T5G
品牌
onsemi
封装
X-DFN-2
交期
现货
批次
—
SZESD7421N2T5G参数
| 封装 | X-DFN-2 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 反向工作电压(Vrwm) | 16V； 10V |
| 击穿电压(VBR) | 16.5V； 10.5V |
| 通道数 | 单路 |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
| 商品型号 | SZESD7421N2T5G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.6e-05 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 极性 | 双向 |
| 钳位电压 | 38.1V |
| 反向漏电流(Ir) | 100nA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | ESD |
| 商品名称 | SZESD7421N2T5G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
SZESD7421N2T5G概述
ESD7421旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。 出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间， 为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。 因其尺寸小， 适用于手机、汽车传感器、信息娱乐系统、MP3播放器、数码相机及其他对电路板空间要求较高的众多应用场景。
SZESD7421N2T5G特性
- 低电容0.3 pF
- 低钳位电压
- 低泄漏电流100 nA
- 响应时间< 1 ns
- 符合IEC61000-4-2 4级ESD保护标准
- 适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用的SZ前缀
- 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）， 且符合RoHS标准
SZESD7421N2T5G应用领域
- 手机-汽车传感器-信息娱乐系统-MP3播放器-数码相机