SZESD5Z2.5T1G-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
SZESD5Z2.5T1G-HXY
该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于对电压敏感的电路系统。 其最大峰值电流IPP为9A, 具备较强的瞬态过压吸收能力, 可有效防止静电放电及外部浪涌对后级电路的损害。 工作反向电压VRWM为2.5V, 适合低压信号线路的稳定防护需求。 结电容CJ为145pF, 在保证良好信号完整性的前提下提供可靠保护。 单通道设计便于灵活布局, 适用于各类便携式电子设备中关键信号线或接口的独立保护应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
60
货期
现货
SZESD5Z2.5T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
SZESD5Z2.5T1G-HXY概述
该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于对电压敏感的电路系统。 其最大峰值电流IPP为9A, 具备较强的瞬态过压吸收能力, 可有效防止静电放电及外部浪涌对后级电路的损害。 工作反向电压VRWM为2.5V, 适合低压信号线路的稳定防护需求。 结电容CJ为145pF, 在保证良好信号完整性的前提下提供可靠保护。 单通道设计便于灵活布局, 适用于各类便携式电子设备中关键信号线或接口的独立保护应用。
SZESD5Z2.5T1G-HXY特性
暂无产品特性。
SZESD5Z2.5T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
