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SZESD5Z2.5T1G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

SZESD5Z2.5T1G-HXY

该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于对电压敏感的电路系统。 其最大峰值电流IPP为9A, 具备较强的瞬态过压吸收能力, 可有效防止静电放电及外部浪涌对后级电路的损害。 工作反向电压VRWM为2.5V, 适合低压信号线路的稳定防护需求。 结电容CJ为145pF, 在保证良好信号完整性的前提下提供可靠保护。 单通道设计便于灵活布局, 适用于各类便携式电子设备中关键信号线或接口的独立保护应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

60

货期

现货

SZESD5Z2.5T1G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存60

SZESD5Z2.5T1G-HXY概述

该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于对电压敏感的电路系统。 其最大峰值电流IPP为9A, 具备较强的瞬态过压吸收能力, 可有效防止静电放电及外部浪涌对后级电路的损害。 工作反向电压VRWM为2.5V, 适合低压信号线路的稳定防护需求。 结电容CJ为145pF, 在保证良好信号完整性的前提下提供可靠保护。 单通道设计便于灵活布局, 适用于各类便携式电子设备中关键信号线或接口的独立保护应用。

SZESD5Z2.5T1G-HXY特性

暂无产品特性。

SZESD5Z2.5T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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