SZ1SMA5925BT3G
IC
SMA
可供量大可议
SZ1SMA5925BT3G
特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面， 便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
品牌
onsemi
封装
SMA
库存
357
货期
现货
SZ1SMA5925BT3G参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 357 |
SZ1SMA5925BT3G概述
特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面， 便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
SZ1SMA5925BT3G特性
暂无产品特性。
SZ1SMA5925BT3G应用领域
暂无应用领域。