SWD9N25D
IC
TO-252
可供量大可议
SWD9N25D
该功率MOSFET采用先进技术制造， 这种技术使功率MOSFET具有更好的特性， 包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷， 尤其是出色的雪崩特性。
品牌
Samwin
封装
TO-252
库存
25
货期
现货
SWD9N25D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Samwin(芯派) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
SWD9N25D概述
该功率MOSFET采用先进技术制造， 这种技术使功率MOSFET具有更好的特性， 包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷， 尤其是出色的雪崩特性。
SWD9N25D特性
暂无产品特性。
SWD9N25D应用领域
暂无应用领域。