SWD065R68E7T
IC
TO-252
可供量大可议
SWD065R68E7T
此功率通道采用增强模式 TO - 252 封装 MOSFET。 该技术具备快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。 漏源击穿电压（BVDSS）：68V
品牌
Samwin
封装
TO-252
库存
25
货期
现货
SWD065R68E7T参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Samwin(芯派) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
SWD065R68E7T概述
此功率通道采用增强模式 TO - 252 封装 MOSFET。 该技术具备快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。 漏源击穿电压（BVDSS）：68V
SWD065R68E7T特性
暂无产品特性。
SWD065R68E7T应用领域
暂无应用领域。