SWD062R68E7T
IC
TO-252
可供量大可议
SWD062R68E7T
该功率MOSFET采用先进技术制造， 具有更好的特性， 包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷， 特别是出色的雪崩特性。
品牌
Samwin
封装
TO-252
库存
10
货期
现货
SWD062R68E7T参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Samwin(芯派) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SWD062R68E7T概述
该功率MOSFET采用先进技术制造， 具有更好的特性， 包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷， 特别是出色的雪崩特性。
SWD062R68E7T特性
暂无产品特性。
SWD062R68E7T应用领域
暂无应用领域。