SWD030R03VLT
IC
TO-252
可供量大可议
SWD030R03VLT
这款功率MOSFET采用了圣邦微电子（SAMWIN）的先进技术制造。 该技术赋予了器件诸多优异特性， 包括快速的开关时间、低导通电阻、低栅极电荷以及出色的雪崩特性。 其BVDSS（击穿电压）为30V
品牌
Samwin
封装
TO-252
库存
200
货期
现货
SWD030R03VLT参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Samwin(芯派) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
SWD030R03VLT概述
这款功率MOSFET采用了圣邦微电子（SAMWIN）的先进技术制造。 该技术赋予了器件诸多优异特性， 包括快速的开关时间、低导通电阻、低栅极电荷以及出色的雪崩特性。 其BVDSS（击穿电压）为30V
SWD030R03VLT特性
暂无产品特性。
SWD030R03VLT应用领域
暂无应用领域。