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SWB075R08E7T
IC

TO-263

可供量大可议

SWB075R08E7T

这款功率MOSFET采用先进技术制造。 该技术使功率MOSFET具备更优特性, 包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。

品牌

Samwin

封装

TO-263

库存

2

货期

现货

SWB075R08E7T参数

封装TO-263
品牌Samwin(芯派)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

SWB075R08E7T概述

这款功率MOSFET采用先进技术制造。 该技术使功率MOSFET具备更优特性, 包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。

SWB075R08E7T特性

暂无产品特性。

SWB075R08E7T应用领域

暂无应用领域。

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