SWB015R03VLT
IC
TO-263
可供量大可议
SWB015R03VLT
这种功率MOSFET采用先进技术制造， 该技术使功率MOSFET具有更好的特性， 包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷， 特别是出色的雪崩特性。
品牌
Samwin
封装
TO-263
库存
8
货期
现货
SWB015R03VLT参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | Samwin(芯派) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
SWB015R03VLT概述
这种功率MOSFET采用先进技术制造， 该技术使功率MOSFET具有更好的特性， 包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷， 特别是出色的雪崩特性。
SWB015R03VLT特性
暂无产品特性。
SWB015R03VLT应用领域
暂无应用领域。