SVT078R0ND(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
SVT078R0ND(UMW)
特性：使用先进的沟槽技术设计。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 符合RoHS标准。 VDS(V) = 68V。 ID = 88A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 6.3mΩ(VGS = 10V)。 快速开关。 低导通电阻(Rdson ≤ 29mΩ)。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% ΔVDS测试
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
2,465
货期
现货
SVT078R0ND(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2465 |
SVT078R0ND(UMW)概述
特性：使用先进的沟槽技术设计。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 符合RoHS标准。 VDS(V) = 68V。 ID = 88A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 6.3mΩ(VGS = 10V)。 快速开关。 低导通电阻(Rdson ≤ 29mΩ)。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% ΔVDS测试
SVT078R0ND(UMW)特性
暂无产品特性。
SVT078R0ND(UMW)应用领域
暂无应用领域。