SVS11N65FJD2
IC
TO-220F-3
可供量大可议
SVS11N65FJD2
SVS11N65D/F/S/FJD2是一款采用超结MOS技术制造的N沟道增强型高压功率MOSFET。 它实现了低传导损耗和开关损耗， 能助力设计工程师打造出高效、高功率密度且散热性能卓越的电源转换器。
品牌
SILAN
封装
TO-220F-3
库存
12
货期
现货
SVS11N65FJD2参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | SILAN(士兰微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
SVS11N65FJD2概述
SVS11N65D/F/S/FJD2是一款采用超结MOS技术制造的N沟道增强型高压功率MOSFET。 它实现了低传导损耗和开关损耗， 能助力设计工程师打造出高效、高功率密度且散热性能卓越的电源转换器。
SVS11N65FJD2特性
暂无产品特性。
SVS11N65FJD2应用领域
暂无应用领域。