SVG103R0NSTR
IC
TO-263-2L
可供量大可议
SVG103R0NSTR
SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。 先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
品牌
SILAN
封装
TO-263-2L
库存
199
货期
现货
SVG103R0NSTR参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | SILAN(士兰微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 199 |
SVG103R0NSTR概述
SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。 先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
SVG103R0NSTR特性
暂无产品特性。
SVG103R0NSTR应用领域
暂无应用领域。