SVG086R0NT
IC
TO-252
可供量大可议
SVG086R0NT
SVG086R0NT(S)(D)(L5) 是一款采用LVMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。 经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻， 并提供卓越的开关性能。 该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统电源管理等领域
品牌
SILAN
封装
TO-252
库存
52
货期
现货
SVG086R0NT参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | SILAN(士兰微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 52 |
SVG086R0NT概述
SVG086R0NT(S)(D)(L5) 是一款采用LVMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。 经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻， 并提供卓越的开关性能。 该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统电源管理等领域
SVG086R0NT特性
暂无产品特性。
SVG086R0NT应用领域
暂无应用领域。