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SVF12N65F
IC

TO-220F

可供量大可议

SVF12N65F

场效应管(MOSFET) 51W 650V 12A 1个N沟道

品牌

SILAN

封装

TO-220F

库存

16,563

货期

现货

SVF12N65F参数

封装TO-220F
品牌SILAN(士兰微)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))640mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)1.39nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)156pF
分类场效应管(MOSFET)
库存16,563
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)650V
耗散功率(Pd)51W
栅极电荷量(Qg)33nC@10V
反向传输电容(Crss)15pF
类型N沟道

SVF12N65F概述

场效应管(MOSFET) 51W 650V 12A 1个N沟道

SVF12N65F特性

暂无产品特性。

SVF12N65F应用领域

暂无应用领域。

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