SUP85N10-10-E3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
SUP85N10-10-E3-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至8.5毫欧， 栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换与开关应用场景。 器件结构支持高电流承载能力， 在高频开关条件下仍能保持稳定工作特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
49
货期
现货
SUP85N10-10-E3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
SUP85N10-10-E3-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至8.5毫欧， 栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换与开关应用场景。 器件结构支持高电流承载能力， 在高频开关条件下仍能保持稳定工作特性。
SUP85N10-10-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SUP85N10-10-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。