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SUP80090E-GE3
IC

TO-220AB

可供量大可议

SUP80090E-GE3

1个N沟道 耐压:150V 电流:128A

品牌

VISHAY

封装

TO-220AB

库存

4

货期

现货

SUP80090E-GE3参数

封装TO-220AB
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)150V
阈值电压(Vgs(th))5V
输入电容(Ciss)3.425nF
工作温度-55℃~+175℃
商品型号SUP80090E-GE3
单位个
商品重量0.00672
分类场效应管(MOSFET)
库存4
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))9.4mΩ@10V
栅极电荷量(Qg)95nC@10V
反向传输电容(Crss)26pF
商品名称1个N沟道 耐压:150V 电流:128A
包装方式管装
商品类型场效应管(MOSFET)

SUP80090E-GE3概述

1个N沟道 耐压:150V 电流:128A

SUP80090E-GE3特性

  • ThunderFET功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • 100%进行Rg和UIS测试

SUP80090E-GE3应用领域

  • 电源-不间断电源-交流/直流开关电源-照明-同步整流-直流/直流转换器-电机驱动开关-直流/交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器

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