SUP60061EL-GE3
IC
TO-220AB
可供量大可议
SUP60061EL-GE3
特性：具有低热阻的TrenchFET功率MOSFET封装。 最高结温175℃。 低导通电阻RDS(on)， 可降低传导功率损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%进行Rg和UIs测试。 应用：电池保护。 电机驱动控制
品牌
VISHAY
封装
TO-220AB
库存
1
货期
现货
SUP60061EL-GE3参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SUP60061EL-GE3概述
特性：具有低热阻的TrenchFET功率MOSFET封装。 最高结温175℃。 低导通电阻RDS(on)， 可降低传导功率损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%进行Rg和UIs测试。 应用：电池保护。 电机驱动控制
SUP60061EL-GE3特性
暂无产品特性。
SUP60061EL-GE3应用领域
暂无应用领域。