SUM70101EL-GE3
IC
TO-263
可供量大可议
SUM70101EL-GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET封装， 热阻低。 最高结温175℃。 低RDS(on)， 可最大程度降低传导功率损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%汞和UIs测试。 应用：电池保护。 电机驱动控制
品牌
VISHAY
封装
TO-263
库存
4,978
货期
现货
SUM70101EL-GE3参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4978 |
SUM70101EL-GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET封装， 热阻低。 最高结温175℃。 低RDS(on)， 可最大程度降低传导功率损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%汞和UIs测试。 应用：电池保护。 电机驱动控制
SUM70101EL-GE3特性
暂无产品特性。
SUM70101EL-GE3应用领域
暂无应用领域。