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SUM70030E-GE3-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

SUM70030E-GE3-HXY

这款N沟道场效应管具备260A的额定漏极电流与100V漏源击穿电压, 导通电阻仅为2.4毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 其极低的导通损耗特性使其成为大电流功率开关的理想选择, 广泛适用于高密度电源模块、储能系统逆变单元及大功率电机驱动装置。 该器件能有效降低系统运行温升, 提升整体能效表现, 满足对电流承载能力有严苛要求的电子应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

12

货期

现货

SUM70030E-GE3-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存12

SUM70030E-GE3-HXY概述

这款N沟道场效应管具备260A的额定漏极电流与100V漏源击穿电压, 导通电阻仅为2.4毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 其极低的导通损耗特性使其成为大电流功率开关的理想选择, 广泛适用于高密度电源模块、储能系统逆变单元及大功率电机驱动装置。 该器件能有效降低系统运行温升, 提升整体能效表现, 满足对电流承载能力有严苛要求的电子应用场景。

SUM70030E-GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SUM70030E-GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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