SUM70030E-GE3-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
SUM70030E-GE3-HXY
这款N沟道场效应管具备260A的额定漏极电流与100V漏源击穿电压, 导通电阻仅为2.4毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 其极低的导通损耗特性使其成为大电流功率开关的理想选择, 广泛适用于高密度电源模块、储能系统逆变单元及大功率电机驱动装置。 该器件能有效降低系统运行温升, 提升整体能效表现, 满足对电流承载能力有严苛要求的电子应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
12
货期
现货
SUM70030E-GE3-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
SUM70030E-GE3-HXY概述
这款N沟道场效应管具备260A的额定漏极电流与100V漏源击穿电压, 导通电阻仅为2.4毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 其极低的导通损耗特性使其成为大电流功率开关的理想选择, 广泛适用于高密度电源模块、储能系统逆变单元及大功率电机驱动装置。 该器件能有效降低系统运行温升, 提升整体能效表现, 满足对电流承载能力有严苛要求的电子应用场景。
SUM70030E-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SUM70030E-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
