SUM60061EL-GE3
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
SUM60061EL-GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET封装， 热阻低。 最大结温175℃。 低RDS(on)， 可降低传导损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：电池保护。 电机驱动控制
品牌
VISHAY
封装
TO-263(D2PAK)
库存
76
货期
现货
SUM60061EL-GE3参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 76 |
SUM60061EL-GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET封装， 热阻低。 最大结温175℃。 低RDS(on)， 可降低传导损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：电池保护。 电机驱动控制
SUM60061EL-GE3特性
暂无产品特性。
SUM60061EL-GE3应用领域
暂无应用领域。