SUM60020E-GE3
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
SUM60020E-GE3
特性：沟槽式场效应管功率MOSFET。 最高结温175℃。 极低的Qgd可降低通过平台电压时的功率损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：电源-二次同步整流。 DC/DC转换器
品牌
VISHAY
封装
TO-263(D2PAK)
库存
32
货期
现货
SUM60020E-GE3参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 32 |
SUM60020E-GE3概述
特性：沟槽式场效应管功率MOSFET。 最高结温175℃。 极低的Qgd可降低通过平台电压时的功率损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：电源-二次同步整流。 DC/DC转换器
SUM60020E-GE3特性
暂无产品特性。
SUM60020E-GE3应用领域
暂无应用领域。