SUG90090E-VB
IC
TO-247
可供量大可议
SUG90090E-VB
TO247； N—Channel沟道, 200V； 110A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-247
库存
50
货期
现货
SUG90090E-VB参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SUG90090E-VB概述
TO247； N—Channel沟道, 200V； 110A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4.5V
SUG90090E-VB特性
暂无产品特性。
SUG90090E-VB应用领域
暂无应用领域。