库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
SUD70090E-GE3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SUD70090E-GE3-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为70A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至8.2毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升能效并减少散热需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

SUD70090E-GE3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

SUD70090E-GE3-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为70A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至8.2毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升能效并减少散热需求。

SUD70090E-GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SUD70090E-GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件