SUD50P04-08-GE3-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压为40V， 支持80A连续漏极电流， 导通电阻典型值为7.3mΩ。 低导通阻抗显著降低功率损耗与温升， 适用于高电流电池保护、负载开关及直流电源管理电路。 在便携式设备与消费电子供电架构中， 该器件能实现高效电流切换与稳定功率传输， 满足紧凑设计对热性能及空间利用的严格要求。