SUD50N10-18P-GE3-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培， 漏源击穿电压达100伏， 导通电阻典型值为13.5毫欧。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景， 如服务器电源模块、电池管理系统及高功率直流变换器。 器件在高频开关下保持良好热稳定性， 适合对效率与散热有严格要求的电力电子设计， 可支持紧凑化布局并降低系统整体能耗。