SUD50N10-18P-E3-HXY

该N沟道场效应管具备60安培连续漏极电流与100伏漏源击穿电压， 导通电阻仅为13.5毫欧。 低内阻特性显著降低导通损耗， 适用于大电流开关电源、高性能电池管理单元及直流电机驱动电路。 器件在高负载下保持优异的热稳定性， 适合对转换效率有严格要求的电力电子系统， 有助于优化散热设计并提升整体能效表现。