SUD50N04-09H-E3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流为60A， 漏源击穿电压40V， 导通电阻低至7.7mΩ。 其低导通损耗特性有效降低了功率转换过程中的热量产生， 提升了系统能效。 该器件适用于高电流负载开关、直流电机驱动控制及电池组保护电路， 能够在紧凑的电源管理设计中提供可靠的功率切换性能， 满足对热管理和电气效率有严格要求的消费类及通信设备应用需求。