SUD50N03-09P-GE3-VB
IC
TO-252
可供量大可议
SUD50N03-09P-GE3-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 򑵼 򏟋 A, RDS(ON), 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:TO򘞟 𢺫 򘞟 适用于需要高电流、高效率、低发热的功率控制场景; 例如电源管理模块、电机驱动电路、电动车辆、储能系统、服务器与高密度计算设备等。
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
15
货期
现货
SUD50N03-09P-GE3-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
SUD50N03-09P-GE3-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 򑵼 򏟋 A, RDS(ON), 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:TO򘞟 𢺫 򘞟 适用于需要高电流、高效率、低发热的功率控制场景; 例如电源管理模块、电机驱动电路、电动车辆、储能系统、服务器与高密度计算设备等。
SUD50N03-09P-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SUD50N03-09P-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。