SUD45P04-16P-GE3-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）额定连续漏极电流为50A， 漏源击穿电压40V， 导通电阻典型值10mΩ。 器件在低电压大电流场景下具备高效开关特性， 适用于电池管理、电源切换及负载控制电路。 其低导通损耗有助于提升系统能效， 适合对空间与热设计有要求的紧凑型电子设备。