SUD45P03-09-GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SUD45P03-09-GE3-HXY
SUD45P03-09-GE3 是一款P沟道MOS管， 采用高效散热的TO-252-2L封装， 适用于大电流应用环境。 该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)， 并能安全处理70A的连续电流， 体现出卓越的电力传输能力。 其引人注目的特点是仅8mR的导通电阻(RD(on))， 有效提升系统能效， 减少功率损耗， 是电源开关、电机驱动和高功率电子设备的理想组件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
260
货期
现货
SUD45P03-09-GE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 260 |
SUD45P03-09-GE3-HXY概述
SUD45P03-09-GE3 是一款P沟道MOS管， 采用高效散热的TO-252-2L封装， 适用于大电流应用环境。 该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)， 并能安全处理70A的连续电流， 体现出卓越的电力传输能力。 其引人注目的特点是仅8mR的导通电阻(RD(on))， 有效提升系统能效， 减少功率损耗， 是电源开关、电机驱动和高功率电子设备的理想组件选择。
SUD45P03-09-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SUD45P03-09-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。