SUD40N10-25-E3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源耐压（VDSS）， 可承载高达40A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）低至20毫欧， 适用于高效率、高频开关应用。 器件采用先进的制造工艺， 具备良好的热稳定性和优异的导通损耗表现， 适合用于电源转换、电机控制、储能系统及高性能计算设备中的功率管理模块， 为复杂电路设计提供可靠支持。