SUD40151EL-GE3-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有40V的漏源耐压（VDSS）， 可承受最高50A的连续漏极电流（ID）。 导通电阻（RDON）低至10mΩ， 有效降低导通损耗， 提高系统效率。 适用于高侧开关、电源管理及直流电机控制等场景， 支持高频开关操作， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用中。