SUD19P06-60-GE3-HXY

SUD19P06-60-GE3 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装， 面向中高电压应用市场。 该器件具有60V的漏源击穿电压(VDSS)， 能够持续提供30A的漏极电流(ID)， 保障在多种电源转换与控制场景下的稳定运行。 其导通电阻RD(on)为48mΩ， 在满足大多数常规应用需求的同时， 兼顾了成本与效能。 适用范围包括电源开关、电机驱动、适配器设计等， 是寻找经济实用解决方案的理想选择。