SUD19P06-60-GE3
IC
TO-252
可供量大可议
SUD19P06-60-GE3
场效应管(MOSFET) 2.3W； 38.5W 60V 18.3A 1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
TO-252
库存
30,134
货期
现货
SUD19P06-60-GE3参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30,134 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF |
| 类型 | P沟道 |
SUD19P06-60-GE3概述
场效应管(MOSFET) 2.3W； 38.5W 60V 18.3A 1个P沟道
SUD19P06-60-GE3特性
暂无产品特性。
SUD19P06-60-GE3应用领域
暂无应用领域。