SUD15N15-95-VB
IC
TO-252
可供量大可议
SUD15N15-95-VB
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 极低的栅漏电荷（Qgd）， 降低开关损耗。 100%进行栅极电阻（Rg）测试。 100%进行雪崩测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：初级侧开关
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
3
货期
现货
SUD15N15-95-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SUD15N15-95-VB概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 极低的栅漏电荷（Qgd）， 降低开关损耗。 100%进行栅极电阻（Rg）测试。 100%进行雪崩测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：初级侧开关
SUD15N15-95-VB特性
暂无产品特性。
SUD15N15-95-VB应用领域
暂无应用领域。