SUD08P06-155L-GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SUD08P06-155L-GE3-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻125mΩ, 栅源驱动电压支持至20V。 作为高侧开关使用时, 其特性可简化电路驱动设计, 无需额外电荷泵。 适用于电源极性保护、负载切换及便携式设备管理电路, 在中等电流应用中提供可靠的反向电压阻断与通断控制能力。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
SUD08P06-155L-GE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
SUD08P06-155L-GE3-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻125mΩ, 栅源驱动电压支持至20V。 作为高侧开关使用时, 其特性可简化电路驱动设计, 无需额外电荷泵。 适用于电源极性保护、负载切换及便携式设备管理电路, 在中等电流应用中提供可靠的反向电压阻断与通断控制能力。
SUD08P06-155L-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SUD08P06-155L-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
