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SUD08P06-155L-GE3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SUD08P06-155L-GE3-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻125mΩ, 栅源驱动电压支持至20V。 作为高侧开关使用时, 其特性可简化电路驱动设计, 无需额外电荷泵。 适用于电源极性保护、负载切换及便携式设备管理电路, 在中等电流应用中提供可靠的反向电压阻断与通断控制能力。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

SUD08P06-155L-GE3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

SUD08P06-155L-GE3-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻125mΩ, 栅源驱动电压支持至20V。 作为高侧开关使用时, 其特性可简化电路驱动设计, 无需额外电荷泵。 适用于电源极性保护、负载切换及便携式设备管理电路, 在中等电流应用中提供可靠的反向电压阻断与通断控制能力。

SUD08P06-155L-GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SUD08P06-155L-GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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