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SUD08P06-155L-E3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SUD08P06-155L-E3-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻125mΩ, 栅源电压耐受值20V。 作为高侧开关器件, 其参数适用于中等电流负载场景。 常见于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载切换模块, 利用其极性特点简化驱动设计, 实现稳定的电压控制与电流导通功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

SUD08P06-155L-E3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

SUD08P06-155L-E3-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻125mΩ, 栅源电压耐受值20V。 作为高侧开关器件, 其参数适用于中等电流负载场景。 常见于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载切换模块, 利用其极性特点简化驱动设计, 实现稳定的电压控制与电流导通功能。

SUD08P06-155L-E3-HXY特性

暂无产品特性。

SUD08P06-155L-E3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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