SUD08P06-155L-E3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SUD08P06-155L-E3-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻125mΩ, 栅源电压耐受值20V。 作为高侧开关器件, 其参数适用于中等电流负载场景。 常见于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载切换模块, 利用其极性特点简化驱动设计, 实现稳定的电压控制与电流导通功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
SUD08P06-155L-E3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SUD08P06-155L-E3-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻125mΩ, 栅源电压耐受值20V。 作为高侧开关器件, 其参数适用于中等电流负载场景。 常见于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载切换模块, 利用其极性特点简化驱动设计, 实现稳定的电压控制与电流导通功能。
SUD08P06-155L-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SUD08P06-155L-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。
