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SUD08P06-155L-BE3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SUD08P06-155L-BE3-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻典型值125mΩ, 栅源电压耐受范围达±20V。 器件在低导通损耗下实现高效开关控制, 适用于电池保护电路、负载切换模块及便携式电源管理方案。 其电压与电流规格匹配中低压直流系统需求, 可在紧凑布局中提供稳定的反向极性防护与功率分配功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

SUD08P06-155L-BE3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

SUD08P06-155L-BE3-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻典型值125mΩ, 栅源电压耐受范围达±20V。 器件在低导通损耗下实现高效开关控制, 适用于电池保护电路、负载切换模块及便携式电源管理方案。 其电压与电流规格匹配中低压直流系统需求, 可在紧凑布局中提供稳定的反向极性防护与功率分配功能。

SUD08P06-155L-BE3-HXY特性

暂无产品特性。

SUD08P06-155L-BE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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