SUD08P06-155L-BE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SUD08P06-155L-BE3-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻典型值125mΩ, 栅源电压耐受范围达±20V。 器件在低导通损耗下实现高效开关控制, 适用于电池保护电路、负载切换模块及便携式电源管理方案。 其电压与电流规格匹配中低压直流系统需求, 可在紧凑布局中提供稳定的反向极性防护与功率分配功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
SUD08P06-155L-BE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SUD08P06-155L-BE3-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为10A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻典型值125mΩ, 栅源电压耐受范围达±20V。 器件在低导通损耗下实现高效开关控制, 适用于电池保护电路、负载切换模块及便携式电源管理方案。 其电压与电流规格匹配中低压直流系统需求, 可在紧凑布局中提供稳定的反向极性防护与功率分配功能。
SUD08P06-155L-BE3-HXY特性
暂无产品特性。
SUD08P06-155L-BE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
