STY60NM50
IC
TO-247-3
可供量大可议
STY60NM50
MDmesh™是一种全新的革命性MOSFET技术， 它将多漏极工艺与PowerMESH™横向布局相结合。 由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt以及出色的雪崩特性。 采用专有条形技术后， 其整体动态性能明显优于同类竞品
品牌
ST
封装
TO-247-3
库存
6
货期
现货
STY60NM50参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
STY60NM50概述
MDmesh™是一种全新的革命性MOSFET技术， 它将多漏极工艺与PowerMESH™横向布局相结合。 由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt以及出色的雪崩特性。 采用专有条形技术后， 其整体动态性能明显优于同类竞品
STY60NM50特性
暂无产品特性。
STY60NM50应用领域
暂无应用领域。