STWA65N045M9

此N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh M9技术， 适用于中/高压MOSFET， 每单位面积具有极低的导通电阻RDS(on)。 基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺， 可实现增强的器件结构。 在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中， 该产品具有较低的导通电阻和较低的栅极电荷值， 特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。