STWA65N023M9-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流（ID）与650V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件采用碳化硅材料， 在高频开关条件下展现出优异的导通与开关性能， 有效降低功率损耗。 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景， 能够在较高结温下稳定工作， 提升整体系统可靠性与能效表现。