STW8NK80Z
IC
TO-247
可供量大可议
STW8NK80Z
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 100%雪崩测试。 BVDSS = 800V， ID = 10A。 RDS(on)：1.0Ω（最大值）@VG = 10V。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 44nC（典型值）
品牌
JSMSEMI
封装
TO-247
库存
19
货期
现货
STW8NK80Z参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
STW8NK80Z概述
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 100%雪崩测试。 BVDSS = 800V， ID = 10A。 RDS(on)：1.0Ω（最大值）@VG = 10V。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 44nC（典型值）
STW8NK80Z特性
暂无产品特性。
STW8NK80Z应用领域
暂无应用领域。