STW65N023M9-4

这是一款 N 沟道功率 MOSFET， 基于创新的超结 MDmesh M9 技术， 适用于中/高压 MOSFET， 每单位面积的导通电阻 RDS(on) 非常低。 基于硅的 M9 技术受益于多漏极制造工艺， 可实现增强的器件结构。 在所有基于硅的快速开关超结功率 MOSFET 中， 该产品具有较低的导通电阻和降低的栅极电荷值， 特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。