STW4N150
IC
TO-247
可供量大可议
STW4N150
场效应管(MOSFET) 160W 1.5kV 4A 1个N沟道
Brand
ST
Package
TO-247
Stock
10,863
货期
现货
STW4N150Parameters
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,863 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF |
| 类型 | N沟道 |
STW4N150概述
场效应管(MOSFET) 160W 1.5kV 4A 1个N沟道
STW4N150特性
暂无产品特性。
STW4N150应用领域
暂无应用领域。