STW45NM60-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A， 漏源电压耐受能力达650V， 导通电阻为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件基于碳化硅工艺， 具备低导通损耗与优异的开关性能， 在高频运行条件下仍能保持较低的温升。 适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备， 能够有效支持对能效和热管理有较高要求的应用场景。