STW45NM50
IC
TO-247
可供量大可议
STW45NM50
这款N沟道功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）的革命性MDmesh™技术开发， 该技术将多漏极工艺与该公司的PowerMESH™水平布局相结合。 此器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。 这款功率MOSFET采用意法半导体的专有条形技术， 其整体动态性能优于市场上的同类产品
品牌
ST
封装
TO-247
库存
8
货期
现货
STW45NM50参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
STW45NM50概述
这款N沟道功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）的革命性MDmesh™技术开发， 该技术将多漏极工艺与该公司的PowerMESH™水平布局相结合。 此器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。 这款功率MOSFET采用意法半导体的专有条形技术， 其整体动态性能优于市场上的同类产品
STW45NM50特性
暂无产品特性。
STW45NM50应用领域
暂无应用领域。