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STW3N170
IC

TO-247

可供量大可议

STW3N170

这款功率MOSFET采用基于整合条形布局的MESH OVERLAY™工艺设计。 其产品性能可媲美甚至优于其他制造商的同类标准产品。

品牌

ST

封装

TO-247

库存

325

货期

现货

STW3N170参数

封装TO-247
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存325

STW3N170概述

这款功率MOSFET采用基于整合条形布局的MESH OVERLAY™工艺设计。 其产品性能可媲美甚至优于其他制造商的同类标准产品。

STW3N170特性

暂无产品特性。

STW3N170应用领域

暂无应用领域。

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