STW34NM60N
IC
TO-247
可供量大可议
STW34NM60N
该器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。 这种创新的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合， 实现了极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于要求苛刻的高效转换器。
品牌
ST
封装
TO-247
库存
18
货期
现货
STW34NM60N参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
STW34NM60N概述
该器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。 这种创新的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合， 实现了极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于要求苛刻的高效转换器。
STW34NM60N特性
暂无产品特性。
STW34NM60N应用领域
暂无应用领域。